公开(公告)号：CN110137143A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201811395470.7

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹成永 ,  赵容祥 ,  河相守

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体芯片，包括栅极结构，半导体芯片具有第一区域和围绕第一区域的侧边的第二区域；第一焊球，位于半导体芯片的第一区域上，并包含第一重量百分比的银；第二焊球，位于半导体芯片的第一区域上，并包含大于第一重量百分比的第二重量百分比的银；以及第三焊球，位于半导体芯片的第二区域上，并包含小于第一重量百分比的第三重量百分比的银。

公开(公告)号：CN110137143B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201811395470.7

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹成永 ,  赵容祥 ,  河相守

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体芯片，包括栅极结构，半导体芯片具有第一区域和围绕第一区域的侧边的第二区域；第一焊球，位于半导体芯片的第一区域上，并包含第一重量百分比的银；第二焊球，位于半导体芯片的第一区域上，并包含大于第一重量百分比的第二重量百分比的银；以及第三焊球，位于半导体芯片的第二区域上，并包含小于第一重量百分比的第三重量百分比的银。

公开(公告)号：CN103972237A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410041413.4

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐辅永 ,  朴元虎 ,  全昌愍 ,  赵容祥

IPC: H01L27/112 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0408 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法，该非易失性存储器件包括：衬底；在衬底中的沟槽；第一栅极图案，包括第一底部栅电极，该第一底部栅电极具有在沟槽中的第一部分和在第一部分上并且相对于衬底的上表面在向上方向上突出的第二部分。第二栅极图案包括第二栅电极，其在衬底上位于第一栅极图案的一侧并且与第一栅极图案绝缘。杂质区存在于衬底中位于第一栅极图案的与第二栅极图案相反的一侧，并且重叠沟槽的部分。