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公开(公告)号:CN114078552A
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN202110344001.8
申请日:2021-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种验证存储器设备的方法。该方法包括基于存储在第一存储器设备的经验证的预定部分中的一个或多个第一微码指令来验证第二存储器设备以检测第二存储器设备的运行状态。此外,该方法包括在验证第二存储器设备之后接收一个或多个第二微码指令。最后,基于存储在第二存储器设备中的一个或多个第二微码指令来验证第一存储器设备以检测第一存储器设备的运行状态。
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公开(公告)号:CN117130542A
公开(公告)日:2023-11-28
申请号:CN202310392769.1
申请日:2023-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 萨钦·苏雷什·乌帕德亚 , 埃尔德霍·帕蒂亚卡拉·通布拉·马修 , 梅耶瑞斯·乔伊锡德拉·萨勒卡尔 , 苏镇麟 , 李宗键 , 金京守
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种操作近存储器处理‑双列直插式存储器(NMP‑DIMM)系统的方法,该方法包括:当从与NMP‑DIMM系统通信地连接的主机设备接收多用途寄存器(MPR)读取指令时,由NMP‑DIMM系统的自适应时延模块确定用于执行读取操作的同步的读取时延值,其中,MPR读取指令从主机设备接收以用于训练NMP‑DIMM系统,其中,所述同步的读取时延值是基于与NMP‑DIMM系统的一个或多个存储器单元相关联的一个或多个读取时延值来确定的;以及由自适应时延模块基于所确定的同步的读取时延值来同步NMP‑DIMM系统中的一个或多个第一类型数据路径和第二类型数据路径。
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