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公开(公告)号：CN1747178B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200510103838.4
申请日：2005-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 公开了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法。所述CMOS图像传感器包括具有光电二极管区和晶体管区的半导体衬底。在位于所述光电二极管区上的微透镜和形成于半导体衬底上的光电二极管之间形成一光路。所述光路包括在位于光电二极管区上的金属间绝缘层和形成于内部透镜上的透明光学区域之间形成的内部透镜。所述透明光学区域通常具有与所述内部透镜不同的折射率。
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公开(公告)号：CN1747178A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510103838.4
申请日：2005-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 公开了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法。所述CMOS图像传感器包括具有光电二极管区和晶体管区的半导体衬底。在位于所述光电二极管区上的微透镜和形成于半导体衬底上的光电二极管之间形成一光路。所述光路包括在位于光电二极管区上的金属间绝缘层和形成于内部透镜上的透明光学区域之间形成的内部透镜。所述透明光学区域通常具有与所述内部透镜不同的折射率。
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公开(公告)号：CN113013184B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202011186699.7
申请日：2020-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。
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公开(公告)号：CN113013184A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011186699.7
申请日：2020-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。
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