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公开(公告)号：CN119271116A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410420663.2
申请日：2024-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储设备包括存储数据的第一非易失性存储器设备；第一选择器，其连接到第一非易失性存储器设备；连接到第一选择器的多个通道；以及连接到所述多个通道的存储器控制器，其向所述多个通道发送用于感测通道的状态的命令以便向第一非易失性存储器设备发送数据，从所述多个通道接收指示每个通道是否处于空闲状态的通道状态信号作为对所述命令的响应，基于所述通道状态信号在所述多个通道当中选择第一通道，以及将包括第一通道的信息的通道选择信号输出到第一选择器，使得第一选择器连接第一通道和第一非易失性存储器设备。
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公开(公告)号：CN112349325A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010766527.0
申请日：2020-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其包括第一非易失性存储器装置、第二非易失性存储器装置和数据线。第二非易失性存储器装置具有与第一非易失性存储器装置不同的类型。数据线被第一非易失性存储器装置和第二非易失性存储器装置共享。通过数据线将第一数据同时提供至第一非易失性存储器装置和第二非易失性存储器装置，将第一数据写入至第二非易失性存储器装置，并且通过从第二非易失性存储器装置读取第一数据并将读取的第一数据提供至第一非易失性存储器装置将第一数据再编程至第一非易失性存储器装置中。
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公开(公告)号：CN111179994A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911035318.2
申请日：2019-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 公开了存储设备和操作该存储设备的方法。在一种操作包括非易失性存储器(NVM)的存储设备的方法中，所述非易失性存储器包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括第一平面和第二平面，所述方法包括接收用于所述第一平面和所述第二平面的数据感测的读取命令集；基于所述读取命令集同时将存储在所述第一平面中的第一页面数据加载到第一平面的第一页面缓冲区中、并将存储在所述第二平面中的第二页面数据加载到第二平面的第二页面缓冲区中；接收包括所述第一平面的数据输出命令集；并基于所述数据输出命令集连续地发送第一页面数据和第二页面数据。
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