Invention Publication
- Patent Title: 存储设备和操作该存储设备的方法
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Application No.: CN201911035318.2Application Date: 2019-10-29
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Publication No.: CN111179994APublication Date: 2020-05-19
- Inventor: 安震悟 , 申铉旭 , 全镇完
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 张婧
- Priority: 10-2018-0137599 2018.11.09 KR
- Main IPC: G11C16/26
- IPC: G11C16/26

Abstract:
公开了存储设备和操作该存储设备的方法。在一种操作包括非易失性存储器(NVM)的存储设备的方法中,所述非易失性存储器包括存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括第一平面和第二平面,所述方法包括接收用于所述第一平面和所述第二平面的数据感测的读取命令集;基于所述读取命令集同时将存储在所述第一平面中的第一页面数据加载到第一平面的第一页面缓冲区中、并将存储在所述第二平面中的第二页面数据加载到第二平面的第二页面缓冲区中;接收包括所述第一平面的数据输出命令集;并基于所述数据输出命令集连续地发送第一页面数据和第二页面数据。
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