公开(公告)号：CN117907339A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311159623.9

申请日：2023-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛昱 ,  申泰秀 ,  玉雪琪 ,  李起范

IPC: G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  G01N21/01 ,  G06T7/00 ,  G06V10/764 ,  G06V10/82

Abstract: 一种缺陷检测设备，包括：存储器，被配置为存储指示电路图案和指示虚设图案的布局图像；以及控制器，包括被配置为学习布局图像的人工神经网络，该控制器被配置为：通过使用人工神经网络，基于通过拍摄晶片上的包括缺陷的区域所获得的检查图像，确定缺陷在电路图案所位于的第一区域中还是在虚设图案所位于的第二区域中；以及基于缺陷位于第一区域中还是位于第二区域中来确定缺陷的类型。

公开(公告)号：CN117907342A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311161392.5

申请日：2023-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛昱 ,  申泰秀 ,  玉雪琪 ,  李起范

IPC: G01N21/956 ,  G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  G01N23/2251

Abstract: 一种包括存储器和控制器的测试设备。存储器存储参考数据，该参考数据包括通过拍摄第一半导体样本上的参考图案而获得的参考图像、参考图案的第一高度、参考图案的第一阴影长度、以及表示第一高度和第一阴影长度之间的相关性的参考值。控制器接收通过拍摄在第二半导体样本上的图案而获得的图像，根据该图像测量图案的第二阴影长度，并且基于参考数据来根据第二阴影长度计算图案的第二高度。

公开(公告)号：CN117594468A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311019522.1

申请日：2023-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李起范 ,  申泰秀 ,  玉雪琪 ,  黄盛昱

IPC: H01L21/66 ,  G06V10/762 ,  G06V10/764

Abstract: 提供了检测晶圆的缺陷的方法、用于检测晶圆的缺陷的设备、以及非暂时性计算机可读存储介质。检测晶圆的缺陷的方法包括：通过组合根据各自的处理操作测量晶圆而生成的多个晶圆水平图来生成包括缺陷点的复合晶圆图；使用复合晶圆图中包括的缺陷点的位置来根据缺陷簇对缺陷点进行分类；以及针对缺陷簇中的每一个使用操作信息来从各自的处理操作中检测其中发生缺陷的初始处理操作。