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公开(公告)号：CN115701222A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210423960.3
申请日：2022-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：衬底；堆叠结构，包括交替且重复地堆叠在衬底上的层间介电层和栅电极，并包括位于衬底上的第一堆叠结构和位于第一堆叠结构上的第二堆叠结构；种子层，介于第一和第二堆叠结构之间并在水平方向上延伸；竖直沟道结构，贯穿堆叠结构并与衬底接触；第一接触插塞，贯穿堆叠结构并与栅电极中的一个接触。种子层可以包括包围竖直沟道结构和第一接触插塞的第一种子图案和第二种子图案，并且第一种子图案和第二种子图案可以在水平方向上彼此间隔开。
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