公开(公告)号：CN1655339A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200410058690.2

申请日：2004-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大焕 ,  许民 ,  申东原 ,  李炳铉

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/82 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855

Abstract: 对于制造自由倾斜的叠层电容器，通过材料层形成开口，材料层包括从开口底部转移的支撑材料层。在每个开口内形成用于各个电容器的各个第一电极。构图支撑材料层，以形成围绕第一电极的支撑结构。围绕第一电极的露出顶部形成掩模隔片，以及刻蚀掉支撑材料的露出部分以形成支撑结构。这种叠层电容器应用在DRAM(动态随机存取存储器)中。

公开(公告)号：CN100481393C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410058690.2

申请日：2004-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大焕 ,  许民 ,  申东原 ,  李炳铉

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/82 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855

Abstract: 对于制造自由倾斜的叠层电容器，通过材料层形成开口，材料层包括从开口底部转移的支撑材料层。在每个开口内形成用于各个电容器的各个第一电极。构图支撑材料层，以形成围绕第一电极的支撑结构。围绕第一电极的露出顶部形成掩模隔片，以及刻蚀掉支撑材料的露出部分以形成支撑结构。这种叠层电容器应用在DRAM(动态随机存取存储器)中。