公开(公告)号：CN101393933B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810169121.3

申请日：2006-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王晓泉 ,  前田茂伸 ,  金旼炷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/84 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种MOS晶体管及相关制造方法，其中本发明公开了一种包括多逸出功金属氮化物栅电极的MOS晶体管。该MOS晶体管包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底上的中心栅电极。该中心栅电极由金属氮化物层形成。源极侧栅电极和漏极侧栅电极形成于所述中心栅电极的相应的相对侧壁上。源极和漏极侧栅电极由含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质的掺杂金属氮化物构成。本发明能够抑制MOS晶体管的短沟道效应，而不会使电流可驱动性劣化。

公开(公告)号：CN100481504C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610080109.6

申请日：2006-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王晓泉 ,  前田茂伸 ,  金旼炷

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种MOS晶体管、CMOS集成电路器件及相关制造方法，其中本发明公开了一种包括多逸出功金属氮化物栅电极的MOS晶体管。该MOS晶体管包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底上的中心栅电极。该中心栅电极由金属氮化物层形成。源极侧栅电极和漏极侧栅电极形成于所述中心栅电极的相应的相对侧壁上。源极和漏极侧栅电极由含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质的掺杂金属氮化物构成。本发明能够抑制MOS晶体管的短沟道效应，而不会使电流可驱动性劣化。

公开(公告)号：CN101393933A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810169121.3

申请日：2006-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王晓泉 ,  前田茂伸 ,  金旼炷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/84 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种MOS晶体管及相关制造方法，其中本发明公开了一种包括多逸出功金属氮化物栅电极的MOS晶体管。该MOS晶体管包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底上的中心栅电极。该中心栅电极由金属氮化物层形成。源极侧栅电极和漏极侧栅电极形成于所述中心栅电极的相应的相对侧壁上。源极和漏极侧栅电极由含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质的掺杂金属氮化物构成。本发明能够抑制MOS晶体管的短沟道效应，而不会使电流可驱动性劣化。

公开(公告)号：CN1855545A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610080109.6

申请日：2006-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王晓泉 ,  前田茂伸 ,  金旼炷

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种包括多逸出功金属氮化物栅电极的MOS晶体管。该MOS晶体管包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底上的中心栅电极。该中心栅电极由金属氮化物层形成。源极侧栅电极和漏极侧栅电极形成于所述中心栅电极的相应的相对侧壁上。源极和漏极侧栅电极由含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质的掺杂金属氮化物构成。本发明能够抑制MOS晶体管的短沟道效应，而不会使电流可驱动性劣化。