执行多平面读取操作的非易失性存储器设备及其操作方法

    公开(公告)号:CN118212963A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202311733598.0

    申请日:2023-12-15

    Inventor: 申睿智 洪锡仁

    Abstract: 提供了执行多平面读取操作的非易失性存储器设备及其操作方法。一种非易失性存储器设备包括:单元阵列,被划分为多个平面;电压发生器,被配置为生成施加到多个平面中的每个平面的字线的字线电压;行解码器,被配置为响应于地址而将字线电压传输到单元阵列;以及控制电路,被配置为响应于激活的伪平面独立读取模式设置而将多个平面中的每个平面的字线的电压设置为字线电压。控制电路被配置为将字线的电压设置时间顺序地移位与多个平面的数量相对应的指定时间延迟。

    电荷泵、包括其的闪速存储器和存储装置

    公开(公告)号:CN117877555A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202310924184.X

    申请日:2023-07-26

    Abstract: 公开了一种闪速存储器的电荷泵、闪速存储器和存储装置。电荷泵包括连接在输出端子和第一泵节点之间的第一级泵,以及连接在第一泵节点和第二泵节点之间的第二级泵。第一级泵包括:第一开关电路,其连接在电源端子与第一泵节点之间,并在正常操作中响应于第一级信号而向第一泵节点提供电源电压;以及第一泵电路,其响应于第一时钟信号而通过使用第一泵节点的电压来产生第一泵电压,并向输出端子提供第一泵电压。第一开关电路在突然断电事件中阻挡从第一泵节点到电源端子的电流流动。

    堆叠式存储器件和包括其的存储芯片

    公开(公告)号:CN107657977B

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN201710617027.9

    申请日:2017-07-26

    Abstract: 一种堆叠式存储器,包括逻辑半导体裸片、堆叠有逻辑半导体裸片的多个存储器半导体裸片、电连接逻辑半导体裸片和存储器半导体裸片的多个穿硅通孔(TSV)、设置在逻辑半导体裸片中并且被配置为执行与数据处理的一部分相对应的全局子处理的全局处理器、分别设置在存储器半导体裸片中并且被配置为执行与数据处理的其他部分相对应的局部子处理的多个局部处理器、以及分别设置在存储器半导体裸片中并且被配置为存储与数据处理相关联的数据的多个存储器集成电路。

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