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公开(公告)号：CN1987570A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610064054.X
申请日：2006-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1362 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/00 , C01B31/00
CPC classification number: H05K3/388 , H01L21/76841 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H05K2201/0323 , Y10T428/2933
Abstract: 在一种金属线路、形成该金属线路的方法、具有该金属线路的显示器基板以及该显示器基板的制造方法中，金属线路包括金属膜和第一无定形碳膜。金属膜利用含铜材料形成在基片上，第一无定形碳膜形成在金属膜下面。形成包括无定形碳膜的金属线路的方法可以大大地简化，并且可以防止或减少在金属线路中产生缺陷。
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公开(公告)号：CN1987570B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200610064054.X
申请日：2006-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1362 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/00 , C01B31/00
CPC classification number: H05K3/388 , H01L21/76841 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H05K2201/0323 , Y10T428/2933
Abstract: 在一种金属线路、形成该金属线路的方法、具有该金属线路的显示器基板以及该显示器基板的制造方法中，金属线路包括金属膜和第一无定形碳膜，其中所述第一无定形碳膜的由所述金属膜暴露的部分在去除光致抗蚀剂图案的同时被去除。金属膜利用含铜材料形成在基片上，第一无定形碳膜形成在金属膜下面。形成包括无定形碳膜的金属线路的方法可以大大地简化，并且可以防止或减少在金属线路中产生缺陷。
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公开(公告)号：CN101043047B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200710088412.5
申请日：2007-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , H01L27/1229 , H01L27/1288 , H01L27/3262
Abstract: 本发明提供一种通过薄膜晶体管(“TFT”)和像素电极来驱动的例如有机发光二极管(“OLED”)显示器的显示装置，所述薄膜晶体管包括驱动TFT和开关TFT。所述显示装置包括用于开关TFT的非晶硅层以及用于驱动TFT的微晶硅或多晶硅层。所述非晶硅层和所述微晶硅层通过绝缘层分隔。所述装置提供了产品可靠性和高的图像质量。所述装置的制造方法的特征在于，减少了工艺步骤，并在光刻工艺期间利用了适于形成开关TFT或驱动TFT的源电极和漏电极以及半导体层的特定掩模，所述掩模为半调掩模或狭缝掩模。
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公开(公告)号：CN101043047A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710088412.5
申请日：2007-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , H01L27/1229 , H01L27/1288 , H01L27/3262
Abstract: 本发明提供一种通过薄膜晶体管(“TFT”)和像素电极来驱动的例如有机发光二极管(“OLED”)显示器的显示装置，所述薄膜晶体管包括驱动TFT和开关TFT。所述显示装置包括用于开关TFT的非晶硅层以及用于驱动TFT的微晶硅或多晶硅层。所述非晶硅层和所述微晶硅层通过绝缘层分隔。所述装置提供了产品可靠性和高的图像质量。所述装置的制造方法的特征在于，减少了工艺步骤，并在光刻工艺期间利用了适于形成开关TFT或驱动TFT的源电极和漏电极以及半导体层的特定掩模，所述掩模为半调掩模或狭缝掩模。
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