显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101043047B

    公开(公告)日:2011-03-16

    申请号:CN200710088412.5

    申请日:2007-03-22

    CPC classification number: H01L29/04 H01L27/1229 H01L27/1288 H01L27/3262

    Abstract: 本发明提供一种通过薄膜晶体管(“TFT”)和像素电极来驱动的例如有机发光二极管(“OLED”)显示器的显示装置,所述薄膜晶体管包括驱动TFT和开关TFT。所述显示装置包括用于开关TFT的非晶硅层以及用于驱动TFT的微晶硅或多晶硅层。所述非晶硅层和所述微晶硅层通过绝缘层分隔。所述装置提供了产品可靠性和高的图像质量。所述装置的制造方法的特征在于,减少了工艺步骤,并在光刻工艺期间利用了适于形成开关TFT或驱动TFT的源电极和漏电极以及半导体层的特定掩模,所述掩模为半调掩模或狭缝掩模。

    显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101043047A

    公开(公告)日:2007-09-26

    申请号:CN200710088412.5

    申请日:2007-03-22

    CPC classification number: H01L29/04 H01L27/1229 H01L27/1288 H01L27/3262

    Abstract: 本发明提供一种通过薄膜晶体管(“TFT”)和像素电极来驱动的例如有机发光二极管(“OLED”)显示器的显示装置,所述薄膜晶体管包括驱动TFT和开关TFT。所述显示装置包括用于开关TFT的非晶硅层以及用于驱动TFT的微晶硅或多晶硅层。所述非晶硅层和所述微晶硅层通过绝缘层分隔。所述装置提供了产品可靠性和高的图像质量。所述装置的制造方法的特征在于,减少了工艺步骤,并在光刻工艺期间利用了适于形成开关TFT或驱动TFT的源电极和漏电极以及半导体层的特定掩模,所述掩模为半调掩模或狭缝掩模。

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