公开(公告)号：CN102386190A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110256601.5

申请日：2011-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁松里 ,  权五益 ,  郑丞弼 ,  金东贤 ,  赵哄

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11519 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及用于形成半导体器件的图案的方法。半导体器件可包括高密度图案，其具有的最小尺寸可小于光刻工艺的分辨率极限，半导体器件可具有：衬底，包括存储单元区和相邻的连接区；多条第一导线，沿第一方向从存储单元区延伸到连接区；多条第二导线，从各第一导线连接到多个焊盘，所述焊盘具有等于每条第一导线的宽度的两倍的宽度。该方法可包括两级间隔物形成以提供亚分辨率线宽和空间以及最小线宽和空间的选定多倍。