公开(公告)号：CN105304633B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201510434637.6

申请日：2015-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元皙 ,  姜昌锡 ,  白承祐 ,  梁仁硕 ,  朱京中

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/11517 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板、堆叠结构、外围栅极结构和剩余间隔件。基板包括单元阵列区和外围电路区。堆叠结构设置在单元阵列区上，具有交替地堆叠的电极和绝缘层。外围栅极结构设置在外围电路区上，沿一个方向彼此分隔开并且具有设置在基板上的外围栅极图案和设置在外围栅极图案的侧壁上的外围栅极间隔件。剩余间隔件设置在外围栅极结构的侧壁上，具有堆叠的牺牲图案和绝缘图案。绝缘图案包括与堆叠结构的绝缘层的材料基本相同的材料。

公开(公告)号：CN105304633A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510434637.6

申请日：2015-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元皙 ,  姜昌锡 ,  白承祐 ,  梁仁硕 ,  朱京中

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板、堆叠结构、外围栅极结构和剩余间隔件。基板包括单元阵列区和外围电路区。堆叠结构设置在单元阵列区上，具有交替地堆叠的电极和绝缘层。外围栅极结构设置在外围电路区上，沿一个方向彼此分隔开并且具有设置在基板上的外围栅极图案和设置在外围栅极图案的侧壁上的外围栅极间隔件。剩余间隔件设置在外围栅极结构的侧壁上，具有堆叠的牺牲图案和绝缘图案。绝缘图案包括与堆叠结构的绝缘层的材料基本相同的材料。