公开(公告)号：CN115568222A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210779263.1

申请日：2022-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳慧旼 ,  梁宇成 ,  成锡江 ,  李雅凛

IPC: H10B43/10 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  G11C5/12 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 提供了半导体装置及数据存储系统。半导体装置包括：第一结构，具有第一存储区域、第二存储区域、位于二者之间的扩展区域、以及字线；以及第二结构，具有与扩展区域交叠的电路区域。字线包括位于不同水平高度处的第一公共字线和第二公共字线以及位于相同水平高度处且间隔开的第一中间单独字线和第二中间单独字线。第一公共字线和第二公共字线均位于第一存储区域、第二存储区域和扩展区域中。第一中间单独字线在第一公共字线与第二公共字线之间的水平高度处位于第一存储区域中并且延伸到扩展区域中。第二中间单独字线位于第二存储区域中并且延伸到扩展区域中。电路区域包括连接到字线的传输晶体管。传输晶体管在扩展区域中与字线交叠。