公开(公告)号：CN1139276A

公开(公告)日：1997-01-01

申请号：CN95117154.2

申请日：1995-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇棋 ,  林亨圭 ,  李城秀

IPC: G11C14/00

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/30

Abstract: 在非易失性半导体存储器中的自动编程电压发生器，包括产生编程电压的高压发生器，用于检测每当所选择的存储器单元未被成功地编程时，在预定的电压范围内，顺序地增加编程电压的电平的微调电路，用于将所检测的电压电平与参考电平比较，然后产生比较信号的比较电路，和用于响应比较信号起动高压发生器的高压发生控制电路。

公开(公告)号：CN1095171C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN95117154.2

申请日：1995-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇棋 ,  林亨圭 ,  李城秀

IPC: G11C14/00

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/30

Abstract: 在非易失性半导体存储器中的自动编程电压发生器，包括产生编程电压的高压发生器，用于检测每当所选择的存储器单元未被成功地编程时，在预定的电压范围内，顺序地增加编程电压的电平的微调电路，用于将所检测的电压电平与参考电平比较，然后产生比较信号的比较电路，和用于响应比较信号起动高压发生器的高压发生控制电路。

公开(公告)号：CN1085004A

公开(公告)日：1994-04-06

申请号：CN93109684.7

申请日：1993-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁哲珉 ,  徐英豪 ,  崔镇荣 ,  林亨圭

IPC: G11C5/00 ,  H01L27/11

CPC classification number: G11C11/419

Abstract: 半导体存储器件中静态随机存取存储器的一种电流检测电路，该电路有一个由NMOS晶体管构成电流/电压转换器，NMOS晶体管的沟道分别连接在数据线对的各数据线与电压检测放大器输入节点之间，晶体管的各栅极交叉耦合，因而可以将电流快速转换成电压，从而能快速检测存储在存储单元中的数据。