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公开(公告)号：CN101093724B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200710138897.4
申请日：2007-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/00
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642 , G11C2216/14
Abstract: 提供一种多位非易失性存储器件。所述存储器件包括存储单元阵列，其包括多个存储单元。页缓冲器电连接到所述存储单元阵列。所述页缓冲器包括多个锁存器，其被配置成存储写入所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一或从所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一读出的多位数据的第一位。缓冲随机存取存储器(RAM)电连接到所述页缓冲器。所述缓冲RAM被配置成存储写入所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一或从所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一读出的所述多位数据的第二位。还提供相关系统、存储卡和方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111048137B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910962886.0
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统。该高电压切换电路包括第一晶体管、第一耗尽型晶体管、电平转换器、控制信号发生器、第二晶体管和第二耗尽型晶体管。第一晶体管响应于第一栅极信号，将第二驱动电压传输到输出端子。第一耗尽型晶体管响应于来自所述输出端子的反馈，将第二驱动电压传输到第一晶体管。控制信号发生器响应于电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号。第二晶体管具有接收第一电压的栅电极，并且响应于第二晶体管的第一端处的第二控制信号而导通或截止。第二耗尽型晶体管连接在第二晶体管的第二端与所述输出端子之间，并且具有接收第一控制信号的栅电极。
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公开(公告)号：CN111048137A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910962886.0
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统。该高电压切换电路包括第一晶体管、第一耗尽型晶体管、电平转换器、控制信号发生器、第二晶体管和第二耗尽型晶体管。第一晶体管响应于第一栅极信号，将第二驱动电压传输到输出端子。第一耗尽型晶体管响应于来自所述输出端子的反馈，将第二驱动电压传输到第一晶体管。控制信号发生器响应于电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号。第二晶体管具有接收第一电压的栅电极，并且响应于第二晶体管的第一端处的第二控制信号而导通或截止。第二耗尽型晶体管连接在第二晶体管的第二端与所述输出端子之间，并且具有接收第一控制信号的栅电极。
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公开(公告)号：CN1808622A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510126994.2
申请日：2005-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/3454 , G11C2216/14
Abstract: 非易失存储器件包括：存储单元阵列，其具有以行和列排列的存储单元；和地址存储单元，被配置来在其中存储开始列地址的指示符和结束列地址的指示符，以识别从开始列地址延伸到结束列地址的列的子集；编程电路，被配置来验证从开始列地址延伸到结束列地址的列的子集处的所选择行的编程操作。还提供了编程非易失存储器件的类似方法。
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公开(公告)号：CN100555455C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510126994.2
申请日：2005-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/3454 , G11C2216/14
Abstract: 非易失存储器件包括：存储单元阵列，其具有以行和列排列的存储单元；和地址存储单元，被配置来在其中存储开始列地址的指示符和结束列地址的指示符，以识别从开始列地址延伸到结束列地址的列的子集；编程电路，被配置来验证从开始列地址延伸到结束列地址的列的子集处的所选择行的编程操作。还提供了编程非易失存储器件的类似方法。
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公开(公告)号：CN101093724A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710138897.4
申请日：2007-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/00
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642 , G11C2216/14
Abstract: 提供一种多位非易失性存储器件。所述存储器件包括存储单元阵列，其包括多个存储单元。页缓冲器电连接到所述存储单元阵列。所述页缓冲器包括多个锁存器，其被配置成存储写入所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一或从所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一读出的多位数据的第一位。缓冲随机存取存储器(RAM)电连接到所述页缓冲器。所述缓冲RAM被配置成存储写入所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一或从所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一读出的所述多位数据的第二位。还提供相关系统、存储卡和方法。
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