执行多个数据总线倒置的方法及执行该方法的存储器器件

    公开(公告)号:CN109726154B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN201810980488.7

    申请日:2018-08-27

    Inventor: 扈炳奎 李载雄

    Abstract: 提供了一种执行多个数据总线倒置(DBI)的方法和执行该方法的存储器器件。多个DBI包括第一至第三DBI操作,其中第一DBI操作确定是否对第一数据倒置组执行数据倒置,其中MxN数据位结构的MxN个数据位被分组,并对第一数据倒置组执行数据倒置,第二DBI操作确定是否对通过对来自MxN个数据位之中的M个数据位进行分组而形成的第二数据倒置组执行数据倒置,并对第二数据倒置组执行数据倒置,以及第三DBI操作确定是否对通过对来自MxN个数据位中的N个数据位进行分组而形成的第三数据倒置组执行数据倒置,并对第三数据倒置组执行数据倒置。

    半导体存储设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101009141A

    公开(公告)日:2007-08-01

    申请号:CN200710003745.3

    申请日:2007-01-24

    Inventor: 金琼炫 李载雄

    CPC classification number: G11C29/46 G11C29/14

    Abstract: 一种半导体存储设备,包括,控制信号发生器,用于组合从外部部分施加的命令信号以生成测试信号;设置/重置信号发生器,用于响应于该测试信号而接收从外部部分施加的模式设置信号,并且当该模式设置信号是指定单个设置/重置的信号时,生成第一设置/重置信号;测试逻辑部分,用于响应于该测试信号而存储并然后输出该模式设置信号;设置/重置主信号发生器,用于接收该第一设置/重置信号以输出用于共同控制该半导体存储设备中的内部块的测试模式的设置/重置主信号;以及测试控制信号发生器,用于组合该测试逻辑部分的输出信号以生成多个控制信号,并响应于所述多个控制信号而生成该设置/重置主信号作为多个测试控制信号。

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