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公开(公告)号：CN102558790B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201110405663.8
申请日：2011-12-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 信一化学工业株式会社
CPC classification number: C08K9/04 , C08J3/203 , C08J2367/02 , C08K3/346 , C08K5/0066 , C08K5/06 , C08K5/49 , C08L67/02
Abstract: 本发明提供透明并且阻燃的聚酯树脂组合物及其制备方法，具体地，提供一种具有提高的透明度，阻燃性和硬度的聚酯树脂组合物及其制备方法。该组合物包含加入到聚酯树脂中的有机改性纳米粘土和磷基阻燃剂。纳米粘土通过熔融配混而均匀分散在聚酯中。
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公开(公告)号：CN100535768C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610106107.X
申请日：2006-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G5/0696 , G03G5/047 , G03G5/0651
Abstract: 形成一种两层的电子照相感光体。该两层的电子照相感光体包括导电基底和在该导电基底上形成的电荷产生层和电荷迁移层，其中电荷产生层为由下述通式表示的萘四羧酸二酰亚胺衍生物。该两层的电子照相感光体具有高感光灵敏度和低剩余电位。
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公开(公告)号：CN1916773A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610136305.0
申请日：2006-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G5/047 , G03G5/0605 , G03G5/0609 , G03G5/0614 , G03G5/0651 , G03G5/0672
Abstract: 公开了一种电子照相感光体和一种采用该感光体的电子照相成像装置。该电子照相感光体包括导电基底和在导电基底上形成的光敏层，其中使用具有380－450nm波长的蓝－紫曝光光源在光敏层上形成潜像。光敏层的外表面包括电荷产生材料、电荷传输材料和粘合剂。在曝光波长内光敏层的透光率为1.0×10－1－1.0×10－3。该电子照相感光体可使用蓝－紫曝光光源提供高分辨率的高质量图像。
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公开(公告)号：CN1517895A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200310124039.6
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李知英
IPC: G06F13/30
CPC classification number: G06F13/30
Abstract: 提供了一种用于向信道传送信号的系统和方法。多个来源提供要传送到信道的输入信号。与所述信道相关联的存储单元存储每个向所述信道传送输入信号的来源的来源标识信息。选择电路按照对选择电路的相应控制输入的状态选择性地通过来自所述多个来源的相应的一个来源的、多个输入信号中的一个，根据与选择电路相关联的来源的来源标识信息来确定每个选择电路的控制输入。查看电路查看选择电路的输出，并且将所通过的输入信号转发到所述信道，以便按照与来源相关联的优先级将输入信号转发到所述信道。用于向多个信道分配多个来源的本发明可以应用于直接存储器访问(DMA)控制器。
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公开(公告)号：CN110942796B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201910594574.9
申请日：2019-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26 , G11C16/08 , G11C16/24 , G06F12/02 , G06F12/0882
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法，非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括页，每个页包括存储数据比特的存储器单元，每个数据比特通过不同的阈值电压是可选择的；页缓冲器电路，通过位线结合到存储器单元阵列，页缓冲器电路包括页缓冲器以从选择的存储器单元感测数据并且执行均包括两个顺序的感测操作的第一读取操作和第二读取操作以确定一个数据状态，每个页缓冲器包括锁存器，锁存器被配置为顺序地存储两个顺序感测操作的结果；以及控制电路，控制页缓冲器以存储第一读取操作的结果，在完成第一读取操作之后重置锁存器并且基于谷来执行第二读取操作，谷基于第一读取操作的结果来确定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110580929A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910461724.9
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置及非易失性存储器装置的擦除方法。包括多个将存储器单元和选择晶体管相连接的单元串的非易失性存储器装置的擦除方法包括：基于提供给选择晶体管中的至少一个选择晶体管的第一电极的擦除电压和提供给选择晶体管中的所述至少一个选择晶体管的第二电极的擦除控制电压，执行第一擦除操作；通过基于第一验证电压和第二验证电压执行多次擦除验证操作来确定是否存在慢擦除单元，其中，第二验证电压高于第一验证电压；当存在慢擦除单元时，调整擦除控制电压，使得擦除电压和擦除控制电压之间的电压差增大；并且基于调整后的擦除控制电压执行第二擦除操作。
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公开(公告)号：CN101059662A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610064275.7
申请日：2006-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G5/0696 , G03G5/047
Abstract: 一种钛氧基酞菁晶体，其在可见光－红外吸收光谱中在780nm±10nm波长处具有主吸收峰且在700nm±10nm波长处具有强度为主吸收峰3/4或更低的次吸收峰。还提供了一种该晶体的制备方法、一种包含该晶体作为电荷产生材料的电子照相感光体、和一种电子照相成像装置。用该钛氧基酞菁晶体作为电荷产生材料的电子照相感光体具有良好的敏感性和良好的剩余电流性能及良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN110580929B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201910461724.9
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置及非易失性存储器装置的擦除方法。包括多个将存储器单元和选择晶体管相连接的单元串的非易失性存储器装置的擦除方法包括：基于提供给选择晶体管中的至少一个选择晶体管的第一电极的擦除电压和提供给选择晶体管中的所述至少一个选择晶体管的第二电极的擦除控制电压，执行第一擦除操作；通过基于第一验证电压和第二验证电压执行多次擦除验证操作来确定是否存在慢擦除单元，其中，第二验证电压高于第一验证电压；当存在慢擦除单元时，调整擦除控制电压，使得擦除电压和擦除控制电压之间的电压差增大；并且基于调整后的擦除控制电压执行第二擦除操作。
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公开(公告)号：CN110942796A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910594574.9
申请日：2019-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26 , G11C16/08 , G11C16/24 , G06F12/02 , G06F12/0882
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法，非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括页，每个页包括存储数据比特的存储器单元，每个数据比特通过不同的阈值电压是可选择的；页缓冲器电路，通过位线结合到存储器单元阵列，页缓冲器电路包括页缓冲器以从选择的存储器单元感测数据并且执行均包括两个顺序的感测操作的第一读取操作和第二读取操作以确定一个数据状态，每个页缓冲器包括锁存器，锁存器被配置为顺序地存储两个顺序感测操作的结果；以及控制电路，控制页缓冲器以存储第一读取操作的结果，在完成第一读取操作之后重置锁存器并且基于谷来执行第二读取操作，谷基于第一读取操作的结果来确定。
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公开(公告)号：CN100430910C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200310124039.6
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李知英
IPC: G06F13/30
CPC classification number: G06F13/30
Abstract: 本发明提供了一种用于向信道传送信号的系统和方法。多个来源提供要传送到信道的输入信号。与所述信道相关联的存储单元存储每个向所述信道传送输入信号的来源的来源标识信息。选择电路按照对选择电路的相应控制输入的状态选择性地通过来自所述多个来源的相应的一个来源的、多个输入信号中的一个，根据与选择电路相关联的来源的来源标识信息来确定每个选择电路的控制输入。查看电路查看选择电路的输出，并且将所通过的输入信号转发到所述信道，以便按照与来源相关联的优先级将输入信号转发到所述信道。用于向多个信道分配多个来源的本发明可以应用于直接存储器访问(DMA)控制器。
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