公开(公告)号：CN113540113B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202011370992.9

申请日：2020-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基玄 ,  权宁镐 ,  李相錄

IPC: H10B43/27 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置，其包括具有第一下导电图案的下电路结构。中间布线结构设置在下电路结构上并且包括水平布线。中间电路结构设置在中间布线结构上并且包括交替的布线层和绝缘层的堆叠结构。沟道结构延伸至堆叠结构的内部并且接触水平布线。接触第一下导电图案和水平布线的接触插塞设置在中间布线结构中。沟道结构的最下端比水平布线的底表面相对更远离衬底的顶表面。接触插塞的最上端比水平布线的底表面相对更远离衬底的顶表面，并且接触插塞的最上端被设置为比布线层中的每一个的最下端相对更靠近衬底的顶表面。

公开(公告)号：CN113540113A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202011370992.9

申请日：2020-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基玄 ,  权宁镐 ,  李相錄

IPC: H01L27/11582 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置，其包括具有第一下导电图案的下电路结构。中间布线结构设置在下电路结构上并且包括水平布线。中间电路结构设置在中间布线结构上并且包括交替的布线层和绝缘层的堆叠结构。沟道结构延伸至堆叠结构的内部并且接触水平布线。接触第一下导电图案和水平布线的接触插塞设置在中间布线结构中。沟道结构的最下端比水平布线的底表面相对更远离衬底的顶表面。接触插塞的最上端比水平布线的底表面相对更远离衬底的顶表面，并且接触插塞的最上端被设置为比布线层中的每一个的最下端相对更靠近衬底的顶表面。