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公开(公告)号：CN100520960C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200310101220.5
申请日：2003-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李濬
IPC: G11C11/40 , G11C11/4074 , G11C16/06
CPC classification number: G05F1/465
Abstract: 本发明描述了斜坡电压电路，用于在初始加电或从休眠时期到半导体存储器件的启动转换时补充或提供更高的加电斜率。这样的斜坡电压电路响应于加电信号，能够将加电斜率提高至少两个量级，因此使得可以更快地接通器件。在一个实施例中，使用一个电平移动器来斜坡提升通电电压。在另一个实施例中，经由一个加电接通PMOS或耗尽型NMOS晶体管来将内部电压线路有效地短接到外部电压线路。
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公开(公告)号：CN100383892C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN03127734.9
申请日：2003-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1093 , G11C7/1006 , G11C7/1021 , G11C7/1039 , G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C7/1069 , G11C7/1078 , G11C7/1087 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2207/002 , G11C2216/14
Abstract: 本发明涉及半导体存储器件领域，尤其涉及带有含双寄存器的页面缓冲器电路的闪速存储器件。为了在短时间内存储大容量信息，本发明提供了一种非易失性存储器件，及其编程方法和设备，它们包括含有第一和第二数据寄存器或锁存器的可操作耦合第一和第二读出放大器、存储第二放大器的数据的存储电路、检验第二数据寄存器的内容，判断存储器件的单元是否已经得到充分编程的有效/无效检验电路、和为了重新编程器件而复位第二数据寄存器，直到得到充分编程为止的恢复电路。在现有技术中，需要花费一些时间来存储信息。现有技术中存在的另一个问题是往回复制问题。通过采用本发明的技术方案解决了现有技术中存在的上述问题。
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公开(公告)号：CN1506975A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN03127734.9
申请日：2003-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1093 , G11C7/1006 , G11C7/1021 , G11C7/1039 , G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C7/1069 , G11C7/1078 , G11C7/1087 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2207/002 , G11C2216/14
Abstract: 本发明描述了一种非易失性存储器件，及其编程方法和设备，它们包括含有第一和第二数据寄存器或锁存器的可操作耦合第一和第二读出放大器、存储第二放大器的数据的存储电路、检验第二数据寄存器的内容，判断存储器件的单元是否已经得到充分编程的有效/无效检验电路、和为了重新编程器件而复位第二数据寄存器，直到得到充分编程为止的恢复电路。
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公开(公告)号：CN1497605A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101220.5
申请日：2003-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李濬
IPC: G11C11/40 , G11C11/4074 , G11C16/06
CPC classification number: G05F1/465
Abstract: 本发明描述了斜坡电压电路，用于在初始加电或从休眠时期到半导体存储器件的启动转换时补充或提供更高的加电斜率。这样的斜坡电压电路响应于加电信号，能够将加电斜率提高至少两个量级，因此使得可以更快地接通器件。在一个实施例中，使用一个电平移动器来斜坡提升通电电压。在另一个实施例中，经由一个加电接通PMOS或耗尽型NMOS晶体管来将内部电压线路有效地短接到外部电压线路。
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