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公开(公告)号：CN114078545A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110634867.2
申请日：2021-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 一种由非易失性存储系统检测存储单元块中的缺陷存储单元块的方法包括：在执行擦除操作之后，基于与读参考电压不同的截止单元检测电压，对目标存储单元块中包括的至少一些存储单元执行读操作，该读参考电压将没有写入数据的截止单元与写入有数据的接通单元区分开；基于执行读操作的结果，对存储单元中具有比截止单元检测电压高的阈值电压的硬截止单元的数量进行计数；以及基于所计数的硬截止单元的数量，识别目标存储单元块是否是缺陷存储单元块。
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