公开(公告)号：CN118159028A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311529062.7

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承敏 ,  柳志桓 ,  安炳万 ,  崔凤贤

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  G11C5/06 ,  G11C5/02

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括芯片区域和划道区域，划道区域包括第一键图案区域；封盖绝缘层，设置在划道区域上；阻挡金属层，覆盖封盖绝缘层以及通孔的内壁，所述通孔穿透封盖绝缘层；衬底层，设置在阻挡金属层上并且填充通孔；绝缘板和上基底层，设置在衬底层上；图案绝缘层，在第一键图案区域中设置在封盖绝缘层上；堆叠结构，设置在上基底层和图案绝缘层上；以及第一图案结构，在竖直方向上与图案绝缘层重叠并且穿透堆叠结构和图案绝缘层，其中，图案绝缘层在第一键图案区域中延伸穿过阻挡金属层。

公开(公告)号：CN115117085A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210004686.6

申请日：2022-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宽容 ,  申盛元 ,  李承敏 ,  林周永 ,  赵源锡

IPC: H01L27/1157 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括在基板上的第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构。沟道结构延伸穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构。第一辅助堆叠结构包括交替堆叠在基板上的多个第一绝缘层和多个第一模层。对准键延伸到第一辅助堆叠结构中并突出到比第一堆叠结构的最上端更高的水平。第二辅助堆叠结构设置在第一辅助堆叠结构和对准键上，并包括交替堆叠的多个第二绝缘层和多个第二模层。第二辅助堆叠结构包括与对准键对准的突起。

公开(公告)号：CN116209275A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211535228.1

申请日：2022-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承敏 ,  金宽容 ,  柳志桓

IPC: H10B43/35

Abstract: 一种半导体器件，包括：堆叠结构，包括栅极堆叠区和虚设堆叠区；竖直存储器结构，穿透栅极堆叠区；以及第一竖直虚设结构，穿透虚设堆叠区的一部分，其中，栅极堆叠区包括彼此交替且重复地堆叠的层间绝缘层和栅极层，虚设堆叠区包括彼此交替且重复地堆叠的虚设绝缘层和虚设水平层，虚设水平层中的至少一个和栅极层中的至少一个包括彼此不同的材料，竖直存储器结构的上表面位于比第一竖直虚设结构的上表面高的高度处，并且位于比第一竖直虚设结构高的高度处的最下虚设上水平层与第一竖直虚设结构重叠。