Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"申盛元" Page 1

1.

发明公开
半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统审中-实审

公开(公告)号：CN115117085A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210004686.6

申请日：2022-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宽容 , 申盛元 , 李承敏 , 林周永 , 赵源锡

IPC: H01L27/1157 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L27/11573 , H01L27/11582

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括在基板上的第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构。沟道结构延伸穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构。第一辅助堆叠结构包括交替堆叠在基板上的多个第一绝缘层和多个第一模层。对准键延伸到第一辅助堆叠结构中并突出到比第一堆叠结构的最上端更高的水平。第二辅助堆叠结构设置在第一辅助堆叠结构和对准键上，并包括交替堆叠的多个第二绝缘层和多个第二模层。第二辅助堆叠结构包括与对准键对准的突起。

Patent Agency Ranking