公开(公告)号：CN119356016A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202410478256.7

申请日：2024-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹相和 ,  金佑锡 ,  金奉槿 ,  李尚和

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了一种光学邻近校正(OPC)方法和使用OPC方法的掩模制造方法，所述OPC方法包括：接收要在衬底上形成的目标图案的设计布局；通过对所述设计布局执行基线OPC来获得第一OPC图案；以及通过将所述第一OPC图案曲线化来获得第二OPC图案。

公开(公告)号：CN115775801A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210592304.6

申请日：2022-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑鲁永 ,  金兑谦 ,  郑贤容 ,  李尚和 ,  郑柄济

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体装置和制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：位于基底上的逻辑单元和位于逻辑单元上的第一金属层。第一金属层包括第一电力线和第二电力线以及在第一电力线与第二电力线之间的第一布线轨道至第三布线轨道上的第一下线至第三下线。第一布线轨道至第三布线轨道在第一方向上平行延伸。第一下线包括在第一方向上彼此间隔开第一距离的第一线和第二线。第三下线包括在第一方向上间隔开第二距离的第三线和第四线。第一线具有面对第二线的第一端。第三线具有面对第四线的第二端。第一端处的曲率与第二端处的曲率基本上相同。

公开(公告)号：CN115774375A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211036958.7

申请日：2022-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任媛柱 ,  郑鲁永 ,  李尚和

IPC: G03F1/36

Abstract: 一种制造半导体芯片的方法，包括：设计针对半导体芯片的布局；对布局执行光学邻近校正(OPC)；在执行OPC之后，制造掩模；以及使用掩模制造半导体芯片，其中，与掩模的矩形图案相对应的多个OPC形状被包括在掩模中，并且多个OPC形状中的至少一个OPC形状包括多边缘拐角倒圆OPC形状。