-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119200317A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202410178425.5
申请日：2024-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑柄济
Abstract: 本发明构思提供了能够通过使用单次曝光图案化来实现具有临界间距的图案的光学邻近校正(OPC)方法，以及包括该OPC方法的掩模制造方法。该OPC方法包括：接收要在衬底上形成的目标图案的设计布局；通过对设计布局执行第一OPC来获得OPC图案；获得OPC图案的模拟轮廓；基于OPC图案的模拟轮廓，对在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此相邻的线图案的线端执行线端锐化(LES)OPC；切割线图案的线端的一部分；以及对在垂直于第一方向的第二方向上与线端相邻且在第一方向上延伸的另一线图案的侧线执行第二OPC。
-
公开(公告)号：CN118315399A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410006242.5
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括衬底，其包括多个像素和在衬底的内部中的光电转换区；像素隔离结构，其隔离多个像素；以及隔离层，其限定衬底中的多个有源区，其中，多个有源区包括：中心部分，其具有从中心朝着多个像素延伸的多个分支段，中心邻近于多个像素中的每一个，以及延伸部分，其在多个像素中，并且在水平方向上从中心部分延伸。在平面图中，延伸部分的侧壁与在第一方向上延伸的像素隔离结构之间的第一角超过约45度，或者多个分支段中的两个相邻的分支段之间的第二角小于约90度。
-
公开(公告)号：CN111077726A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910777447.2
申请日：2019-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明公开了光学邻近校正(OPC)方法和利用其制造光刻掩模的方法，其中OPC方法可以包括：提供包括导电图案的设计布局；确定导电图案当中的线端空隙(LEV)风险图案，LEV风险图案均具有遭受由于LEV而导致的不良接触的风险；设置标记，标记包括LEV风险图案的部分和邻近于LEV风险图案的导电图案的部分；对包括在标记中的第一图案执行第一OPC并且对标记外部的第二图案执行第二OPC，第二OPC与第一OPC不同，并且第一OPC和第二OPC中的每一个被执行多次；以及计算每个标记的成本函数。该确定可以包括基于评分函数比较每个导电图案中发生不良接触的风险，并且评分函数可以与每个导电图案的宽度成反比。
-
公开(公告)号：CN111077726B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201910777447.2
申请日：2019-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明公开了光学邻近校正(OPC)方法和利用其制造光刻掩模的方法，其中OPC方法可以包括：提供包括导电图案的设计布局；确定导电图案当中的线端空隙(LEV)风险图案，LEV风险图案均具有遭受由于LEV而导致的不良接触的风险；设置标记，标记包括LEV风险图案的部分和邻近于LEV风险图案的导电图案的部分；对包括在标记中的第一图案执行第一OPC并且对标记外部的第二图案执行第二OPC，第二OPC与第一OPC不同，并且第一OPC和第二OPC中的每一个被执行多次；以及计算每个标记的成本函数。该确定可以包括基于评分函数比较每个导电图案中发生不良接触的风险，并且评分函数可以与每个导电图案的宽度成反比。
-
公开(公告)号：CN115775801A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210592304.6
申请日：2022-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/528 , H01L21/8238
Abstract: 公开了半导体装置和制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：位于基底上的逻辑单元和位于逻辑单元上的第一金属层。第一金属层包括第一电力线和第二电力线以及在第一电力线与第二电力线之间的第一布线轨道至第三布线轨道上的第一下线至第三下线。第一布线轨道至第三布线轨道在第一方向上平行延伸。第一下线包括在第一方向上彼此间隔开第一距离的第一线和第二线。第三下线包括在第一方向上间隔开第二距离的第三线和第四线。第一线具有面对第二线的第一端。第三线具有面对第四线的第二端。第一端处的曲率与第二端处的曲率基本上相同。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.017 seconds)
