公开(公告)号：CN112310076B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202010591338.4

申请日：2020-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权宁汉 ,  郑修然 ,  裵金钟 ,  裵东一

IPC: H10D84/83 ,  H10D30/62

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；第一下图案和第二下图案，位于所述衬底上并且在第一方向上排成一行；第一有源图案堆叠，设置在所述第一下图案上并且与所述第一下图案间隔开；第二有源图案堆叠，设置在所述第二下图案上并且与所述第二下图案间隔开；鳍形切割栅极结构，设置在所述第一下图案上，所述鳍形切割栅极结构的一部分与所述第一下图案交叠；第一栅极结构，围绕所述第一有源图案堆叠并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第二栅极结构，围绕所述第二有源图案堆叠并且在所述第二方向上延伸；以及器件隔离层，位于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间并且将所述第一下图案与所述第二下图案分开。

公开(公告)号：CN112310076A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010591338.4

申请日：2020-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权宁汉 ,  郑修然 ,  裵金钟 ,  裵东一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；第一下图案和第二下图案，位于所述衬底上并且在第一方向上排成一行；第一有源图案堆叠，设置在所述第一下图案上并且与所述第一下图案间隔开；第二有源图案堆叠，设置在所述第二下图案上并且与所述第二下图案间隔开；鳍形切割栅极结构，设置在所述第一下图案上，所述鳍形切割栅极结构的一部分与所述第一下图案交叠；第一栅极结构，围绕所述第一有源图案堆叠并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第二栅极结构，围绕所述第二有源图案堆叠并且在所述第二方向上延伸；以及器件隔离层，位于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间并且将所述第一下图案与所述第二下图案分开。