公开(公告)号：CN101174579A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710166864.0

申请日：2007-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权城铉 ,  沈载煌 ,  郭东华 ,  金周泳

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

Abstract: 示例性地公开了一种制造具有精细接触孔的半导体的方法。该方法包括在半导体衬底上形成限定有源区的隔离层。在具有隔离层的半导体衬底上形成层间电介质层。在所述层间电介质层上形成第一模塑图案。还形成第二模塑图案，其位于所述第一模塑图案之间并与其相间隔开。形成包围第一模塑图案和第二模塑图案的侧壁的掩模图案。通过去除第一模塑图案和第二模塑图案来形成开口。通过利用掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻层间电介质层，来形成接触孔。

公开(公告)号：CN101174579B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200710166864.0

申请日：2007-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权城铉 ,  沈载煌 ,  郭东华 ,  金周泳

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

Abstract: 示例性地公开了一种制造具有精细接触孔的半导体的方法。该方法包括在半导体衬底上形成限定有源区的隔离层。在具有隔离层的半导体衬底上形成层间电介质层。在所述层间电介质层上形成第一模塑图案。还形成第二模塑图案，其位于所述第一模塑图案之间并与其相间隔开。形成包围第一模塑图案和第二模塑图案的侧壁的掩模图案。通过去除第一模塑图案和第二模塑图案来形成开口。通过利用掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻层间电介质层，来形成接触孔。