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公开(公告)号：CN117650150A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311088689.3
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , G01J3/50 , H04N25/70
Abstract: 一种图像传感器包括：传感器基板，包括分别感测第一波长、第二波长和第三波长的光的第一像素、第二像素和第三像素；分色透镜阵列，改变第一波长、第二波长和第三波长的光的相位，并将相变光分别会聚到第一像素、第二像素和第三像素上。分色透镜阵列包括分别面对第一像素至第三像素的第一像素对应区域至第三像素对应区域。第一像素对应区域包括多个第一纳米柱，第二像素对应区域包括多个第二纳米柱，并且第三像素对应区域包括多个第三纳米柱，第二纳米柱之中具有最大截面宽度的第二中心纳米柱与第二像素的中心重叠，并且第三纳米柱之中具有最大截面宽度的第三中心纳米柱与第三像素的中心不重叠。
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公开(公告)号：CN114200554A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110781609.7
申请日：2021-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种超颖光学器件，包括：多个相位调制区域，被配置为入射光的相位进行调制，多个相位调制区域中的每一个包括多个纳米结构，多个纳米结构的形状和布置是根据针对多个相位调制区域中的每一个所设置的相应规则而确定的；以及补偿区域，位于多个相位调制区域中的彼此相邻的第k相位调制区域和第(k+1)相位调制区域之间并包括补偿结构，所述补偿结构用于根据第k相位调制区域和第(k+1)相位调制区域的相应规则来缓冲在第k相位调制区域和第(k+1)相位调制区域之间的边界区域中发生的有效折射率变化，其中N是多个相位调制区域的数量，k和N是自然数，并且k等于或大于1且小于N。
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公开(公告)号：CN117594618A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310960234.X
申请日：2023-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 提供了一种包括图案化抗反射层的图像传感器以及包括该图像传感器的电子装置。该图像传感器包括：传感器衬底，包括多个第一像素和多个第二像素，该多个第一像素感测具有第一波长的光，该多个第二像素感测具有不同于第一波长的第二波长的光；纳米光子透镜阵列，包括多个纳米结构，该多个纳米结构被配置为将入射光会聚到多个第一像素和多个第二像素上；以及抗反射层，设置在纳米光子透镜阵列的光入射表面上，并且包括周期性地且二维地布置的多个孔，其中，该多个孔包括沿着彼此相邻的第一像素和第二像素之间的边界布置的多个第一孔、以及设置为面向第一像素或第二像素的内部区域的多个第二孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114764155A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110964676.2
申请日：2021-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种相对于预定波段的入射光表现出目标相位延迟曲线的超颖光学器件，其包括：第一层，包括多个第一纳米结构和围绕多个第一纳米结构的第一周围材料，并具有第一相位延迟曲线，第一相位延迟曲线的第一趋势与目标相位延迟曲线的趋势基本等同；第二层，包括多个第二纳米结构和围绕多个第二纳米结构的第二周围材料，并具有第二相位延迟曲线，第二相位延迟曲线的第二趋势与目标相位延迟曲线的趋势基本相反；和第三层，包括多个第三纳米结构和围绕多个第三纳米结构的第三周围材料，其中第三层在材料和布置规则中的至少一个方面不同于第二层。该超颖光学器件能够使一次色散和高阶色散最小化，并因此，可以相对于宽波段的光表现出恒定的衍射效率。
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公开(公告)号：CN117594619A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310968169.5
申请日：2023-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00 , H04N25/77 , H04N25/772 , H04N25/78 , H04N25/71 , H04N25/79
Abstract: 一种图像传感器包括：传感器基板，包括用于感测第一波段的光的多个第一像素和用于感测第二波段的光的多个第二像素，第二波段不同于第一波段；滤色器层，在传感器基板上并包括多个滤色器；平坦化层，布置在滤色器层上；封装层，布置在平坦化层上；以及纳米光子透镜阵列，布置在封装层上并包括多个纳米结构，该多个纳米结构被布置为将入射光会聚到多个第一像素和多个第二像素上。
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公开(公告)号：CN116482783A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310015588.7
申请日：2023-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种超颖光学器件，该超颖光学器件包括：基板；第一超颖结构层，设置在基板上,该第一超颖结构层包括具有亚波长形状尺寸的第一纳米结构和设置为与第一纳米结构相邻的第一外围材料；第二超颖结构层，设置在第一超颖结构层上，该第二超颖结构层包括具有亚波长形状尺寸的第二纳米结构和设置为与第二纳米结构相邻的第二外围材料；以及第一功能层，设置在第一超颖结构层和第二超颖结构层之间，该第一功能层包括蚀刻速率低于第二外围材料的蚀刻速率的第一‑第一层和折射率与第一‑第一层的折射率不同的第一‑第二层。
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公开(公告)号：CN119730429A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411151516.6
申请日：2024-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种图像传感器，包括：传感器衬底，包括第一像素组和第二像素组；纳米光子透镜阵列，包括面向第一像素组的第一区域和面向第二像素组的第二区域；以及滤色器层，包括面向第一像素组和第一区域并且透射第一波段的光的第一滤色器、以及面向第二像素组和第二区域并且透射第二波段的光的第二滤色器。第一区域可以包括以第一布置周期二维布置的多个纳米结构以会聚入射光，第二区域可以包括以第二布置周期二维布置的多个纳米结构以会聚入射光，并且第二布置周期可以小于第一布置周期。
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