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公开(公告)号：CN110890319A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910342775.X
申请日：2019-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种制造半导体器件的互连线的方法包括：在衬底上的第一层间绝缘层、蚀刻停止层和第二层间绝缘层中形成通路和下互连沟槽；在通路和下互连沟槽内部形成下扩散阻挡层、下籽晶层和下互连层；使用化学机械抛光(CMP)工艺平坦化下互连层，以形成接触插塞和下互连线；在第二层间绝缘图案和下互连线的顶部上沉积第三层间绝缘层；在第三层间绝缘层中形成上互连沟槽；在上互连沟槽内部形成上扩散阻挡层、上籽晶层和上互连层；以及使用CMP工艺平坦化上互连层，以形成上互连线。
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