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公开(公告)号：CN120076394A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411401032.2
申请日：2024-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括：衬底，其包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；外延层，其设置在第一区域和第二区域中，其中，外延层具有第一导电类型；掩埋层，其设置在外延层下方，其中，掩埋层具有与第一导电类型不同的第二导电类型；第一高浓度杂质区域，其设置在第一区域中的外延层上，其中，第一高浓度杂质区域与外延层的顶表面重叠并且具有第一导电类型；第二高浓度杂质区域，其设置在第一区域中的外延层上，其中，第二高浓度杂质区域与外延层的顶表面重叠并且具有第二导电类型；以及器件隔离膜，其在第一高浓度杂质区域与第二高浓度杂质区域之间设置在外延层上。
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