薄膜晶体管阵列面板
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1828910A

    公开(公告)日:2006-09-06

    申请号:CN200610006160.2

    申请日:2006-01-25

    IPC分类号: H01L27/12

    摘要: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。阵列面板包括基本一致的存储电容,且以相对小的面积容许相对大的电容。在一些实施例中,该面板包括:基板;在基板上的多个半导体区域,其包括掺杂以第一杂质类型的多个源极和漏极区域、掺杂以第二杂质类型的虚设区域、以及具有存储和沟道区域的本征区域;栅极绝缘层,其覆盖至少部分半导体区域;包括栅极电极的栅极线,其至少部分地交迭沟道区域且形成在栅极绝缘层上;包括存储电极的存储线,其至少部分地交迭存储区域且形成在栅极绝缘层上;包括源极电极的数据线,其连接到源极区域且形成在栅极绝缘层上;漏极电极,其连接到漏极区域和虚设区域且形成在栅极绝缘层上;以及象素电极,其连接到漏极电极。

    薄膜晶体管阵列面板
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100568513C

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:CN200610006160.2

    申请日:2006-01-25

    IPC分类号: H01L27/12

    摘要: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。阵列面板包括基本一致的存储电容,且以相对小的面积容许相对大的电容。在一些实施例中,该面板包括:基板;在基板上的多个半导体区域,其包括掺杂以第一杂质类型的多个源极和漏极区域、掺杂以第二杂质类型的虚设区域、以及具有存储和沟道区域的本征区域;栅极绝缘层,其覆盖至少部分半导体区域;包括栅极电极的栅极线,其至少部分地交迭沟道区域且形成在栅极绝缘层上;包括存储电极的存储线,其至少部分地交迭存储区域且形成在栅极绝缘层上;包括源极电极的数据线,其连接到源极区域且形成在栅极绝缘层上;漏极电极,其连接到漏极区域和虚设区域且形成在栅极绝缘层上;以及象素电极,其连接到漏极电极。