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公开(公告)号：CN112305855A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010586599.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李炳勋 , 郑镛席 , 方珠美 , 安秉燮
IPC: G03F1/56 , G03F1/76 , H01L21/027
Abstract: 公开了形成图案的方法和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法可以包括：提供衬底，衬底在其上包括抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上涂覆化合物以形成电荷消散层。电荷消散层可以包括导电聚合物和金属络合物。
