公开(公告)号：CN102623456B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201110461204.1

申请日：2011-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林周永 ,  李云京 ,  沈载株 ,  文熙昌 ,  黄盛珉

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供了一种具有参考特征的垂直非易失性存储装置。一种垂直非易失性存储装置具有在其中限定的单元阵列区的基底。虚设结构靠近单元阵列区的边界处设置在基底上或基底中。所述存储装置还包括多条垂直堆叠的栅极导电线并在栅极导电线之间设置有绝缘层，所述多条导电栅极线和设置的绝缘层与垂直沟道区侧向相邻地设置并横跨虚设结构延伸，导电栅极线和绝缘层中的至少最上面的一个在虚设结构的交叉处具有表面变形，所述表面变形被构造为用作参考特征。虚设结构可包括沟槽，并且表面变形可包括在沟槽上方的凹进。

公开(公告)号：CN102623456A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110461204.1

申请日：2011-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林周永 ,  李云京 ,  沈载株 ,  文熙昌 ,  黄盛珉

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供了一种具有参考特征的垂直非易失性存储装置。一种垂直非易失性存储装置具有在其中限定的单元阵列区的基底。虚设结构靠近单元阵列区的边界处设置在基底上或基底中。所述存储装置还包括多条垂直堆叠的栅极导电线并在栅极导电线之间设置有绝缘层，所述多条导电栅极线和设置的绝缘层与垂直沟道区侧向相邻地设置并横跨虚设结构延伸，导电栅极线和绝缘层中的至少最上面的一个在虚设结构的交叉处具有表面变形，所述表面变形被构造为用作参考特征。虚设结构可包括沟槽，并且表面变形可包括在沟槽上方的凹进。

公开(公告)号：CN111799270A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010248879.7

申请日：2020-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文熙昌

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：堆叠结构，设置在下结构上；绝缘结构，设置在堆叠结构上；以及垂直结构，在垂直于下结构的上表面的方向上延伸，并具有与堆叠结构和绝缘结构相对的侧表面。堆叠结构包括交替地堆叠的层间绝缘层和栅极层，绝缘结构包括下绝缘层、在下绝缘层上的中间绝缘层和在中间绝缘层上的上绝缘层。