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公开(公告)号:CN116257469A
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN202210619264.X
申请日:2022-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 埃尔多·马修·帕西亚克卡拉·托姆布拉 , 拉维·尚卡尔·文卡塔·乔纳拉加达 , 维瑟努·查兰·图姆马拉 , 苏鎭麟 , 李宗键 , 普拉尚特·维什瓦纳特·马亨德拉卡尔
IPC: G06F12/1045 , G06F12/1081 , G06F12/0815 , G06F13/16
Abstract: 提供了一种近存储器处理双列直插式存储器模块,近存储器处理双列直插式存储器模块包括随机存取存储器(RAM)、近存储器处理(NMP)电路和第一控制端口。NMP电路用于从主机系统接收命令,响应于所述命令而确定将要对RAM执行的操作以及RAM内的针对确定的操作的数据的位置。第一控制端口与主机系统的第二控制端口交互,以使NMP电路能够响应于接收的命令而与主机系统交换控制信息。