公开(公告)号：CN107039056B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201611059568.6

申请日：2016-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐成旻

IPC: G11C5/06 ,  G11C5/14

Abstract: 本公开提供层叠存储装置以及具有该层叠存储装置的存储器封装。一种层叠存储装置包括主半导体管芯和从下至上依次堆叠在主半导体管芯上的多个从属半导体管芯。主半导体管芯包括联接到第一电源电压的第一电源线、联接到第二电源电压的第二电源线、联接到第一电源线的存储装置和联接到第二电源线的数据输入/输出缓冲器。多个从属半导体管芯的每个包括第三电源线和第四电源线以及联接到第三电源线的存储装置。第三电源线电连接到第一电源线和第四电源线，并且第四电源线与第二电源线电分离。数据输入/输出缓冲器缓冲外部装置和包括在主半导体管芯和多个从属半导体管芯中的存储装置之间通讯的数据。

公开(公告)号：CN107039056A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611059568.6

申请日：2016-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐成旻

IPC: G11C5/06 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C5/147 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  G11C5/14 ,  G11C5/141 ,  G11C7/10 ,  G11C7/22 ,  G11C8/06 ,  G11C8/10 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  G11C5/06

Abstract: 本公开提供层叠存储装置以及具有该层叠存储装置的存储器封装。一种层叠存储装置包括主半导体管芯和从下至上依次堆叠在主半导体管芯上的多个从属半导体管芯。主半导体管芯包括联接到第一电源电压的第一电源线、联接到第二电源电压的第二电源线、联接到第一电源线的存储装置和联接到第二电源线的数据输入/输出缓冲器。多个从属半导体管芯的每个包括第三电源线和第四电源线以及联接到第三电源线的存储装置。第三电源线电连接到第一电源线和第四电源线，并且第四电源线与第二电源线电分离。数据输入/输出缓冲器缓冲外部装置和包括在主半导体管芯和多个从属半导体管芯中的存储装置之间通讯的数据。

公开(公告)号：CN100428362C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN03152438.9

申请日：2003-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡武成 ,  金明五 ,  徐成旻

IPC: G11C11/4091

CPC classification number: G11C7/1069 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/1051

Abstract: 一种集成电路存储器件，可以包括具有多个存储单元的存储单元阵列，以及被配置用来放大来自存储单元阵列的存储单元的一对位线上的数据、并在数据线和互补数据线上提供被放大的数据的位线读出放大器。有源负载电路包括：电连接在数据线与电压源之间的第一负载器件，其中，第一负载器件的电阻响应数据线的电平而改变。有源负载电路也包括：电连接在互补数据线与电压源之间的第二负载器件，其中，第二负载器件的电阻响应互补数据线的电平而改变。也讨论了相关的方法。

公开(公告)号：CN1822218A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610004965.3

申请日：2006-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金杜烈 ,  徐成旻 ,  郑秉勋

IPC: G11C7/24

CPC classification number: G11C29/50 ,  G11C5/063 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50012 ,  G11C2207/2254

Abstract: 一种用于控制半导体存储器件中的时序偏移的电路，包括：偏移控制电路，该电路被配置为对半导体存储器件中所包括的多个存储器组中的相应的每一个产生分立的偏移控制信号。还公开了相关的方法。

公开(公告)号：CN1484246A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03152438.9

申请日：2003-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡武成 ,  金明五 ,  徐成旻

IPC: G11C11/4091

CPC classification number: G11C7/1069 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/1051

Abstract: 一种集成电路存储器件，可以包括具有多个存储单元的存储单元阵列，以及被配置用来放大来自存储单元阵列的存储单元的一对位线上的数据、并在数据线和互补数据线上提供被放大的数据的位线读出放大器。有源负载电路包括：电连接在数据线与电压源之间的第一负载器件，其中，第一负载器件的电阻响应数据线的电平而改变。有源负载电路也包括：电连接在互补数据线与电压源之间的第二负载器件，其中，第二负载器件的电阻响应互补数据线的电平而改变。也讨论了相关的方法。