公开(公告)号：CN117881188A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311259649.0

申请日：2023-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高秉贤 ,  金浩珍 ,  林根元 ,  李贞浩 ,  张铉建

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 提供了半导体存储器件和包括其的电子系统。所述半导体存储器件包括：基板；模制结构，位于所述基板上；多个沟道结构，在所述模制结构中延伸；源极层和源极牺牲层，位于所述基板与所述模制结构之间，其中，所述源极牺牲层与所述源极层间隔开；以及源极支撑层，位于所述源极层和所述源极牺牲层上，其中，所述源极支撑层位于所述源极层与所述源极牺牲层之间，其中，所述源极支撑层的上表面包括与所述基板平行地延伸的第一部分和第二部分、以及连接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，其中，从所述源极层的上表面到所述第一部分的垂直距离小于从所述基板的上表面到所述第二部分的垂直距离。