公开(公告)号：CN111081640B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910649354.1

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  张爱熙 ,  韩承宪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，通过减少或防止在小片锯切工艺中可能出现的裂纹的扩展而改善了可靠性和产量。所述半导体器件包括：衬底，其包括第一芯片区域和围绕所述第一芯片区域的划片道区域；位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，其包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；位于所述划片道区域中的所述衬底上的布线结构，其包括第二低k绝缘膜和所述第二低k绝缘膜中的布线图案，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；以及位于所述第一低k绝缘膜与所述布线结构之间的第一保护绝缘膜，其包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN111081640A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910649354.1

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  张爱熙 ,  韩承宪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，通过减少或防止在小片锯切工艺中可能出现的裂纹的扩展而改善了可靠性和产量。所述半导体器件包括：衬底，其包括第一芯片区域和围绕所述第一芯片区域的划片道区域；位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，其包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；位于所述划片道区域中的所述衬底上的布线结构，其包括第二低k绝缘膜和所述第二低k绝缘膜中的布线图案，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；以及位于所述第一低k绝缘膜与所述布线结构之间的第一保护绝缘膜，其包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料。