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公开(公告)号：CN106478952A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610754147.9
申请日：2016-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/20 , C08G77/398 , H01L51/10 , H01G4/14
CPC classification number: C08F130/08 , C08G77/14 , C08G77/20 , C08G77/442 , C08G83/001 , C09D183/10 , H01B3/46 , H01G4/14 , H01L51/004 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0537
Abstract: 公开组合物、电子器件、薄膜晶体管、和电容器。所述组合物包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩聚产物之间的缩合反应的产物。在化学式1中，取代基的定义与在具体实施方式中相同。此外，所述电子器件、所述薄膜晶体管和所述电容器包括所述组合物的固化材料。化学式1。
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公开(公告)号：CN106478952B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201610754147.9
申请日：2016-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/20 , C08G77/398 , H01L51/10 , H01G4/14
Abstract: 公开组合物、电子器件、薄膜晶体管、和电容器。所述组合物包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩聚产物之间的缩合反应的产物。在化学式1中，取代基的定义与在具体实施方式中相同。此外，所述电子器件、所述薄膜晶体管和所述电容器包括所述组合物的固化材料。化学式1
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公开(公告)号：CN112864198A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011308618.6
申请日：2020-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明涉及显示面板、显示装置和包括该显示装置的电子设备。该显示面板包括开关晶体管和发光晶体管。开关晶体管包括第一栅电极、第一源电极、第一有源层和第一漏电极。发光晶体管包括第二栅电极、第二源电极、第二有源层、发光层和第二漏电极。第二栅电极是开关晶体管的第一漏电极。开关晶体管和发光晶体管可以在基板上。开关晶体管、第二源电极、第二有源层、发光层和第二漏电极在垂直于基板的表面的方向上堆叠。
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公开(公告)号：CN105646883A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510862159.9
申请日：2015-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及组合物、电子器件和薄膜晶体管。组合物包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物之间的缩合反应产物。在化学式1中，取代基的定义与在具体实施方式中相同。此外，电子器件和薄膜晶体管包括所述组合物的经固化材料。化学式1。
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公开(公告)号：CN115020599A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202111046826.8
申请日：2021-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光器件，包括：反射层；第一电极，设置在所述反射层上；第二电极，面对所述第一电极；第一发射层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；第二发射层，设置在所述第一发射层和所述第二电极之间；以及第一部分透射镜，设置在所述第一发射层和所述第二发射层之间，从而在所述反射层和所述第一部分透射镜之间形成一次或更高次谐振模式、以及在所述反射层和所述第二电极之间形成二次或更高次谐振模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551750A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110543109.X
申请日：2021-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有发光效率的发光器件和显示装置。发光器件包括：产生具有第一波长的光的第一有机发光材料层；产生具有与第一波长不同的第二波长的光的第二有机发光材料层；以及产生具有与第一波长和第二波长不同的第三波长的光的第三有机发光材料层，第一有机发光材料层可以位于包括第一波腹的位置处，该第一波腹具有在微腔中谐振的谐振波长，并且第二有机发光材料层和第三有机层发光材料层可以位于包括第二波腹的位置处，该第二波腹具有在微腔中谐振的谐振波长。
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公开(公告)号：CN105646883B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201510862159.9
申请日：2015-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及组合物、电子器件和薄膜晶体管。组合物包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物之间的缩合反应产物。在化学式1中，取代基的定义与在具体实施方式中相同。此外，电子器件和薄膜晶体管包括所述组合物的经固化材料。化学式1
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公开(公告)号：CN109309160B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201810762263.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K10/46 , H10K71/00 , H10K101/40 , H10K101/30
Abstract: 公开了薄膜晶体管、包括其的电子器件、和其制造方法。所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极、和漏电极。所述半导体层与所述栅电极重叠。所述源电极和所述漏电极电连接至所述半导体层。所述半导体层包括包含第一有机半导体材料的第一半导体层和包含第二有机半导体材料的第二半导体层。所述第二半导体层相比于所述第一半导体层与所述栅电极间隔得更远。所述第二有机半导体材料的HOMO能级不同于所述第一有机半导体材料的HOMO能级。
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公开(公告)号：CN105837597B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610064600.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , C07D487/22 , H01L51/54 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/22 , C07D517/22 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 提供稠合多环杂芳族化合物、包括所述化合物的有机薄膜和包括有机薄膜的电子器件。所述稠合多环杂芳族化合物由化学式1A或1B表示，且具有其中八个或更多个环高度地稠合在一起的紧凑的平面结构，并且因此呈现出高的在分子之间的电荷迁移率。所述有机薄膜包括所述稠合多环杂芳族化合物且所述电子器件包括所述薄膜作为载流子传输层。
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公开(公告)号：CN109309160A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810762263.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了薄膜晶体管、包括其的电子器件、和其制造方法。所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极、和漏电极。所述半导体层与所述栅电极重叠。所述源电极和所述漏电极电连接至所述半导体层。所述半导体层包括包含第一有机半导体材料的第一半导体层和包含第二有机半导体材料的第二半导体层。所述第二半导体层相比于所述第一半导体层与所述栅电极间隔得更远。所述第二有机半导体材料的HOMO能级不同于所述第一有机半导体材料的HOMO能级。
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