公开(公告)号：CN1769244A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510075559.1

申请日：2005-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柱哲 ,  崔时卿 ,  郑元雄

IPC: C04B41/50 ,  C04B35/462 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02197 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1245 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供一种形成铁电体薄膜的方法，用于抑制a－畴的形成并提供充分的层覆盖。该方法包括将具有空切(miscut)表面的基材浸到反应溶液中，所述反应溶液包括钙钛矿型铁电体的前体化合物和水；及在低于钙钛矿型铁电体的相变温度的温度下，在反应溶液中进行水热反应，从而在基材的空切表面上形成钙钛矿型铁电体薄膜。