公开(公告)号：CN100407401C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510054202.5

申请日：2005-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐凤锡 ,  朴基澈 ,  崔承万 ,  金一龙

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/2855

Abstract: 公开了一种通过选择性地形成扩散阻挡层来制造半导体器件的方法，和由此制造的半导体器件。在该制造方法中，在半导体衬底上形成了导电图案和覆盖导电图案的绝缘层。构图绝缘层从而形成用于暴露导电图案的至少一部分的开口。然后，利用选择性沉积技术在具有开口的半导体衬底上形成扩散阻挡层。扩散阻挡层在暴露的导电图案上形成的厚度比在暴露于开口内部的绝缘层上的扩散阻挡层的厚度更薄。然后，蚀刻扩散阻挡层，由此形成凹陷(recessed)扩散阻挡层。按照这种方式，防止了金属原子从填充开口的金属插塞或金属互连向绝缘层扩散。

公开(公告)号：CN1674251A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510054202.5

申请日：2005-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐凤锡 ,  朴基澈 ,  崔承万 ,  金一龙

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/2855

Abstract: 公开了一种通过选择性地形成扩散阻挡层来制造半导体器件的方法，和由此制造的半导体器件。在该制造方法中，在半导体衬底上形成了导电图案和覆盖导电图案的绝缘层。构图绝缘层从而形成用于暴露导电图案的至少一部分的开口。然后，利用选择性沉积技术在具有开口的半导体衬底上形成扩散阻挡层。扩散阻挡层在暴露的导电图案上形成的厚度比在暴露于开口内部的绝缘层上的扩散阻挡层的厚度更薄。然后，蚀刻扩散阻挡层，由此形成凹陷(recessed)扩散阻挡层。按照这种方式，防止了金属原子从填充开口的金属插塞或金属互连向绝缘层扩散。