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公开(公告)号：CN101303891A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810095612.8
申请日：2008-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F2212/7208 , G11C11/5628 , G11C11/5671 , G11C16/26 , G11C29/52
Abstract: 公开了一种对多比特闪速存储器件编程的存储系统和方法，所述多比特闪速存储器件包括存储单元，每一个存储单元均配置成存储多比特数据，所述方法包括并且所述存储系统配置成：确定待存储到选定存储单元中的数据是否是LSB数据；以及如果待存储到选定存储单元中的数据不是LSB数据，将所述选定存储单元中存储的低位数据备份到所述多比特闪速存储器件的备份存储块中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104951404B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201510138143.3
申请日：2015-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0616 , G06F3/064 , G06F3/0652 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F3/0688
Abstract: 本发明提供了一种操作存储器系统的非易失性存储器(NVM)的方法，该方法包括以下步骤：计算从非易失性存储器的多个存储器块中将擦除块分配为自由块的连续分配之间的分配间隔；以及根据分配间隔调整所述多个存储器块的擦除块的数量。擦除块是所述多个存储器块中的具有被擦除的状态的存储器块，而自由块是擦除块中的被选择来写入数据的存储器块。
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公开(公告)号：CN103632722A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310542391.5
申请日：2008-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F2212/7208 , G11C11/5628 , G11C11/5671 , G11C16/26 , G11C29/52
Abstract: 公开了一种对多比特闪速存储器件编程的存储系统和方法，所述多比特闪速存储器件包括存储单元，每一个存储单元均配置成存储多比特数据，所述方法包括并且所述存储系统配置成：确定待存储到选定存储单元中的数据是否是LSB数据；以及如果待存储到选定存储单元中的数据不是LSB数据，将所述选定存储单元中存储的低位数据备份到所述多比特闪速存储器件的备份存储块中。
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公开(公告)号：CN101303891B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN200810095612.8
申请日：2008-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F2212/7208 , G11C11/5628 , G11C11/5671 , G11C16/26 , G11C29/52
Abstract: 本发明公开了一种对多比特闪速存储器件编程的存储系统和方法，所述多比特闪速存储器件包括存储单元，每一个存储单元均配置成存储多比特数据，所述方法包括并且所述存储系统配置成：确定待存储到选定存储单元中的数据是否是LSB数据；以及如果待存储到选定存储单元中的数据不是LSB数据，将所述选定存储单元中存储的低位数据备份到所述多比特闪速存储器件的备份存储块中。
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公开(公告)号：CN103632722B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201310542391.5
申请日：2008-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F2212/7208 , G11C11/5628 , G11C11/5671 , G11C16/26 , G11C29/52
Abstract: 公开了一种对多比特闪速存储器件编程的存储系统和方法，所述多比特闪速存储器件包括存储单元，每一个存储单元均配置成存储多比特数据，所述方法包括并且所述存储系统配置成：确定待存储到选定存储单元中的数据是否是LSB数据；以及如果待存储到选定存储单元中的数据不是LSB数据，将所述选定存储单元中存储的低位数据备份到所述多比特闪速存储器件的备份存储块中。
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公开(公告)号：CN104951404A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510138143.3
申请日：2015-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0616 , G06F3/064 , G06F3/0652 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F3/0688
Abstract: 本发明提供了一种操作存储器系统的非易失性存储器(NVM)的方法，该方法包括以下步骤：计算从非易失性存储器的多个存储器块中将擦除块分配为自由块的连续分配之间的分配间隔；以及根据分配间隔调整所述多个存储器块的擦除块的数量。擦除块是所述多个存储器块中的具有被擦除的状态的存储器块，而自由块是擦除块中的被选择来写入数据的存储器块。
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