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公开(公告)号：CN110416217B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910342853.6
申请日：2019-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维(3D)半导体存储器件包括：源极结构，设置在水平半导体层上，并包括顺序地堆叠在水平半导体层上的第一源极导电图案和第二源极导电图案；电极结构，包括垂直堆叠在源极结构上的多个电极；以及穿透电极结构和源极结构的垂直半导体图案，其中垂直半导体图案的侧壁的一部分与源极结构接触。第一源极导电图案包括不连续界面，不连续界面在水平半导体层的顶表面与第二源极导电图案的底表面之间的水平处。
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公开(公告)号：CN110416217A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910342853.6
申请日：2019-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种三维(3D)半导体存储器件包括：源极结构，设置在水平半导体层上，并包括顺序地堆叠在水平半导体层上的第一源极导电图案和第二源极导电图案；电极结构，包括垂直堆叠在源极结构上的多个电极；以及穿透电极结构和源极结构的垂直半导体图案，其中垂直半导体图案的侧壁的一部分与源极结构接触。第一源极导电图案包括不连续界面，不连续界面在水平半导体层的顶表面与第二源极导电图案的底表面之间的水平处。
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公开(公告)号：CN117337042A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311092083.7
申请日：2019-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维(3D)半导体存储器件包括：源极结构，设置在水平半导体层上，并包括顺序地堆叠在水平半导体层上的第一源极导电图案和第二源极导电图案；电极结构，包括垂直堆叠在源极结构上的多个电极；以及穿透电极结构和源极结构的垂直半导体图案，其中垂直半导体图案的侧壁的一部分与源极结构接触。第一源极导电图案包括不连续界面，不连续界面在水平半导体层的顶表面与第二源极导电图案的底表面之间的水平处。
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