公开(公告)号：CN103681676B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201310384950.4

申请日：2013-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹准皓 ,  闵庚珍 ,  朴宰弘 ,  张用玧 ,  韩济愚

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92

Abstract: 本发明提供了包括用于电极的支撑件的半导体器件。每个半导体器件可以包括多个电极。此外，每个半导体器件可以包括与多个电极的侧壁连接的支撑图案。还提供了形成相关半导体器件的方法。例如，所述方法可以包括在形成多个电极之前形成支撑图案。

公开(公告)号：CN103681676A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310384950.4

申请日：2013-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹准皓 ,  闵庚珍 ,  朴宰弘 ,  张用玧 ,  韩济愚

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92

Abstract: 本发明提供了包括用于电极的支撑件的半导体器件。每个半导体器件可以包括多个电极。此外，每个半导体器件可以包括与多个电极的侧壁连接的支撑图案。还提供了形成相关半导体器件的方法。例如，所述方法可以包括在形成多个电极之前形成支撑图案。

公开(公告)号：CN107871649A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710890948.2

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹准皓 ,  李在铉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  G01N29/12 ,  G01N29/2437 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01J37/32798 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供了一种用于监控等离子体处理腔室的监控单元、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法。所述用于监控等离子体处理腔室的监控单元包括：压电构件，其包括暴露于等离子体处理腔室内的表面；第一电极，其耦接到压电构件；电源单元，其耦接到第一电极并且构造为通过第一电极将电压施加到压电构件；以及控制单元，其耦接到压电构件并且构造为检测压电构件的振动频率。响应于施加到压电构件的电压，产生振动频率。