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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN112951822A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011457499.0

申请日：2020-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋晟埈 , 郑贤广 , 金昌洙 , 全灿熙

IPC: H01L27/02 , H01L29/08 , H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括P阱区；栅电极，所述栅电极位于所述衬底上；以及第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域在与所述栅电极相邻的相对侧形成在所述衬底中，所述第一区域包括位于所述衬底中的第一N阱区以及位于所述第一N阱区中的第二N阱区、第一杂质区和第二杂质区，所述第二区域包括位于所述衬底中的第三杂质区和位于所述第三杂质区中的第四杂质区，所述第二N阱区的掺杂浓度大于所述第一N阱区的掺杂浓度，并且所述第二杂质区的掺杂浓度大于所述第二N阱区的掺杂浓度。

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