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公开(公告)号：CN118431256A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202311147904.2
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；有源图案，位于衬底上；第一隔离层和第二隔离层，位于有源图案之间；第一保护衬层，位于第一隔离层上；第二保护衬层，位于第二隔离层上；沟道图案，位于有源图案上；源/漏图案，位于沟道图案的两侧上；以及第一栅电极，位于第一保护衬层和第二保护衬层上方，并且围绕沟道图案，其中，第一隔离层具有第一宽度，第二隔离层具有比第一宽度宽的第二宽度，并且从衬底到第一保护衬层的第一高度大于从衬底到第二保护衬层的第二高度。
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