公开(公告)号：CN1059517C

公开(公告)日：2000-12-13

申请号：CN95107354.0

申请日：1995-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安东浩 ,  安性俊 ,  申裕均 ,  金允基

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76205 ,  H01L21/32

Abstract: 一种半导体器件的器件隔离方法，包括：在半导体衬底上形成一衬垫氧化层和一氮化物层之后，将位于器件隔离区上方的氮化物层清除掉。通过局部腐蚀衬垫氧化层在氮化物层下方形成一个切口。在暴露的衬底上形成第一氧化层并在氮化物层侧壁上形成一个多晶硅分隔层之后，通过对其中已在950℃以上的温度下形成了多晶硅分隔层的所得结构进行氧化，在形成于有源区上的氮化物层下方形成一个空洞。可实现良好的单元限定和稳定的器件隔离。

公开(公告)号：CN116156891A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211480687.4

申请日：2022-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔孝锡 ,  金暻善 ,  孙熙政 ,  姜敏珠 ,  安性俊

IPC: H10B43/00 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：单元衬底，包括单元阵列区和延伸区；栅电极，堆叠在单元衬底上，栅电极包括钼；以及单元阵列区中的沟道结构，沟道结构穿透栅电极，其中，栅电极中的至少一个在沟道结构之间的区域中包括至少一个空隙。

公开(公告)号：CN1123467A

公开(公告)日：1996-05-29

申请号：CN95107354.0

申请日：1995-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安东浩 ,  安性俊 ,  申裕均 ,  金允基

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76205 ,  H01L21/32

Abstract: 一种半导体器件的器件隔离方法，包括：在半导体衬底上形成一衬垫氧化层和一氮化物层之后，将位于器件隔离区上方的氮化物层清除掉。通过局部腐蚀衬垫氧化层在氮化物层下方形成一个切口。在暴露的衬底上形成第一氧化层并在氮化物层侧壁上形成一个多晶硅分隔层之后，通过对其中已在950℃以上的温度下形成了多晶硅分隔层的所得结构进行氧化，在形成于有源区上的氮化物层下方形成一个空洞。可实现良好的单元限定和稳定的器件隔离。