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发明公开
临界尺寸检查方法及使用该方法的半导体器件制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN117524900A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310832208.9

申请日：2023-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孔秀彬 , 尹详皓 , 郑宇陈

IPC: H01L21/66 , G03F7/20 , H01L21/027

Abstract: 本公开涉及临界尺寸检查方法及使用该方法的半导体器件制造方法。一种用于检查临界尺寸的方法可以包括：提供衬底；在所述衬底上施加光刻胶；可变地将一定剂量的光照射到所述光刻胶上；执行光刻工艺以对所述光刻胶进行显影，从而形成光刻胶图案；使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模执行蚀刻工艺以形成多个图案；测量所述多个图案中的每一个图案的宽度和所述多个图案中的相邻图案之间的间距；以及基于所述测出的宽度和所述测出的间距来识别所述光刻工艺中的缺陷的原因。

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