公开(公告)号：CN114156279A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111046611.6

申请日：2021-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林根元 ,  姜珉准 ,  朴昞坤 ,  申重植

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11563

Abstract: 一种半导体器件，包括下部结构和堆叠结构，该堆叠结构具有交替堆叠在下部结构上的层间绝缘层和水平层。第一坝竖直结构穿透堆叠结构。第一坝竖直结构将堆叠结构划分为栅极堆叠区域和绝缘体堆叠区域。水平层包括栅极堆叠区域中的栅极水平层和绝缘体堆叠区域中的绝缘水平层。存储器竖直结构和支撑体竖直结构穿透栅极堆叠区域。分离结构穿透栅极堆叠区域。一个分离结构包括第一侧表面、不与第一侧表面垂直的第二侧表面、以及从第一侧表面延伸到第二侧表面的连接侧表面。连接侧表面高于栅极水平层的最上栅极水平层。

公开(公告)号：CN114582880A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111077117.6

申请日：2021-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜珉准 ,  朴昞坤 ,  申重植

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件，包括在基板上的栅电极结构，栅电极结构包括在第一方向上彼此间隔开的栅电极，每个栅电极在第二方向上延伸；存储器沟道结构，延伸穿过基板上的栅电极结构，该存储器沟道结构包括沿第一方向延伸的沟道；电荷储存结构，围绕沟道的外侧壁；第一填充图案，填充由沟道形成的内部空间；以及第一封盖图案，位于沟道和第一填充图案上的；以及虚设电荷储存结构，延伸穿过基板上的栅电极结构，所述虚设电荷储存结构包括沿第一方向延伸的第二填充图案；虚设电荷储存结构，围绕第二填充图案的外侧壁；以及第二封盖图案，位于第二填充图案上。