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发明公开
执行双向沟道预充电的非易失性存储器件及其编程方法审中-实审

公开(公告)号：CN114067887A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110540240.0

申请日：2021-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹诚敏 , 朴商秀 , 张俊锡 , 姜沂勋 , 崔容赫

IPC: G11C16/10

Abstract: 提供了一种在编程期间执行双向沟道预充电的非易失性存储器件。非易失性存储器件的编程操作在对选定存储单元进行编程之前，对多个单元串的沟道同时执行在位线方向上的第一预充电和在源极线方向上的第二预充电，以初始化所述沟道。所述第一预充电操作通过第一串选择晶体管和第二串选择晶体管使用被施加到所述位线的第一预充电电压对所述多个单元串的所述沟道进行预充电，而所述第二预充电操作通过第一接地选择晶体管和第二接地选择晶体管使用被施加到所述源极线的第二预充电电压对所述多个单元串的所述沟道进行预充电。

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